LT1013DIDG4和LT1013DIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1013DIDG4 LT1013DIDR MC33172DT

描述 双精密运算放大器 DUAL PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  LT1013DIDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/US, SOIC-8, 整卷STMICROELECTRONICS  MC33172DT  运算放大器, 双路, 2.1 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 350 µA 350 µA 220 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 97 dB 97 dB 80 dB

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K -

带宽 1.00 MHz 1 MHz 2.1 MHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 2.1 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 1 mV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 20 nA

增益带宽 97 dB 1 MHz 2.1 MHz

针脚数 - 8 8

工作温度(Max) - 105 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) - 97 dB 80 dB

电源电压 - 5V ~ 30V 4V ~ 40V

电源电压(DC) - - 44.0 V

工作电压 - - 2V ~ 22V

输出电流 - - 27 mA

电源电压(Max) - - 44 V

电源电压(Min) - - 4 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司