对比图
型号 FDD2670 FQD12N20TF STD20NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2670 场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252N沟道 200V 9ASTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 3.60 A 9.00 A 18.0 A
漏源极电阻 0.1 Ω 280 mΩ 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.2 W 2.5W (Ta), 55W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 9.00 A 18.0 A
输入电容(Ciss) 1228pF @100V(Vds) 910pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 2.5 W 90 W
耗散功率(Max) 70 W 2.5W (Ta), 55W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 2 - 3
阈值电压 4 V - 3 V
输入电容 1.23 nF - 940 pF
栅电荷 27.0 nC - 28.0 nC
上升时间 8 ns - 30 ns
下降时间 25 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 110 W
正向电压(Max) - - 1.6 V
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99