对比图
型号 FDS9945 NDS9945 STS4DNF60L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9945.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS9945. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 3.50 A 3.50 A 4.00 A
通道数 2 - 2
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 74 mΩ 0.1 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 1.7 V 1.7 V
输入电容 420 pF - -
栅电荷 8.00 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 4.00 A
上升时间 4.3 ns 7.5 ns 28 ns
输入电容(Ciss) 420pF @30V(Vds) 345pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 900 mW 2 W
下降时间 3 ns 7 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2 W 2000 mW
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.57 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99