对比图
描述 QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 9.50 A 9.00 A 9.00 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 360 mΩ - 0.4 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 72 W 78 W 75 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 9A 9.00 A
上升时间 92 ns 75 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 72 W 78 W 75 W
下降时间 72 ns 64 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 72 W 78W (Tc) 75W (Tc)
额定功率 - - 75 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 16.3 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -