BF660和MMBTH81

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF660 MMBTH81 PMBTH81

描述 BF660 PNP 三极管 40V 700MHZ SOT23 代码 LES 高频振荡器应用FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH81  晶体管 双极-射频, PNP, 20 V, 600 MHz, 225 mW, -50 mA, 60 hFEPNP 1 GHz的开关晶体管 PNP 1 GHz switching transistor

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.93 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

频率 - 600 MHz -

额定电压(DC) - -20.0 V -

额定电流 - -50.0 mA -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP, P-Channel -

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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