FQA28N15和FQA28N15_F109

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQA28N15 FQA28N15_F109 IRFP4232PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA28N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFETN沟道,250V,60A,35.7mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 227 W 227W (Tc) 430 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 33A 60.0 A

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 7290pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 227W (Tc) 227W (Tc) 430 W

额定电压(DC) 150 V - 250 V

额定电流 33.0 A - 60.0 A

额定功率 - - 430 W

产品系列 - - IRFP4232

额定功率(Max) 227 W - 430 W

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.067 Ω - -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 150 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

上升时间 180 ns - -

下降时间 115 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3

长度 15.8 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 20.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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