对比图
型号 APT6029BLLG STW21NM60ND IXFH26N60Q
描述 功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETcSTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 21.0 A - 26.0 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 140 W 360 W
输入电容 2.61 nF - -
栅电荷 65.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 26.0 A
额定功率 - - 360 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.17 Ω 0.25 Ω
阈值电压 - 4 V 4.5 V
上升时间 - 16 ns 32 ns
输入电容(Ciss) - 1800pF @50V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 140 W 360 W
下降时间 - 48 ns 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) - 140W (Tc) 360W (Tc)
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 - 5.15 mm 5.3 mm
长度 - 15.75 mm -
高度 - 20.15 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
材质 - - Silicon
重量 - - 6 g
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -