IRFUC20和IRFUC20PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFUC20 IRFUC20PBF SPW20N60S5

描述 MOSFET N-CH 600V 2A I-PAKMOSFET N-CH 600V 2A I-PAKINFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

耗散功率 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 208 W

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 208 W

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 20.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.19 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4.5 V

输入电容 - - 3.00 nF

栅电荷 - - 103 nC

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 20.0 A

上升时间 - - 25 ns

额定功率(Max) - - 208 W

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

长度 - 6.73 mm 15.9 mm

宽度 - 2.39 mm 5.3 mm

高度 - 6.22 mm 20.95 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Design

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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