对比图
型号 BUZ32 IRF630N IRF630NPBF
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTO-220AB N-CH 200V 9.3AINFINEON IRF630NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 75000 mW 82 W 82 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 9.3A 9.3A
上升时间 40 ns 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 82000 mW 82W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 9.50 A - -
输入电容 530 pF - 575 pF
额定功率(Max) 75 W - 82 W
额定功率 - - 82 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.3 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 200 V
热阻 - - 1.83℃/W (RθJC)
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17