BSV236SP和NTJS3151PT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSV236SP NTJS3151PT1G SI1407DL-T1-E3

描述 BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩12V,-3.3A,功率MOSFETMOSFET 12V 1.8A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 主动器件MOS管

基础参数对比

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

长度 2.00 mm 2.2 mm -

宽度 1.25 mm 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

额定电压(DC) -20.0 V -12.0 V -

额定电流 -1.50 A -3.30 A -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 12 V -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 3.30 A -

上升时间 8.50 ns 1.5 ns -

针脚数 - 6 -

漏源极电阻 - 0.133 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 0.625 W -

输入电容 - 850 pF -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

输入电容(Ciss) - 850pF @12V(Vds) -

额定功率(Max) - 625 mW -

下降时间 - 3.9 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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