对比图
型号 IRF1010ZPBF STP80NF55-06 PHP54N06T,127
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 55V 54A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 140 W 300 W 118 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 54A
上升时间 150 ns 155 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 300 W 118 W
下降时间 - 65 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 118W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 75.0 A 80.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
产品系列 IRF1010Z - -
长度 - 10.4 mm 10.3 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -