对比图
型号 FQPF6N70 STD18N55M5 SPP04N80C3
描述 700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 700 V - 800 V
额定电流 3.50 A - 4.00 A
漏源极电阻 1.50 Ω 0.18 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48W (Tc) 90 W 63 W
漏源极电压(Vds) 700 V 550 V 800 V
漏源击穿电压 700 V 550 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 16A 4.00 A
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 48 W 90 W 63 W
耗散功率(Max) 48W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)
额定功率 - - 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3 V
上升时间 - 9.5 ns 15 ns
下降时间 - 13 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - 6.6 mm 10 mm
宽度 - 6.2 mm 4.4 mm
高度 - 2.4 mm 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -