IR21363J和IR21363S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21363J IR21363S IR21363SPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32Pin PLCCMOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC WMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 PLCC-44 SOIC SOIC-28

引脚数 - - 28

封装 PLCC-44 SOIC SOIC-28

长度 - - 18.1 mm

宽度 - - 7.6 mm

高度 - - 2.33 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - - 12.0V (min)

上升/下降时间 - - 125ns, 50ns

输出接口数 - - 6

耗散功率 - - 1600 mW

下降时间(Max) - - 75 ns

上升时间(Max) - - 190 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 1600 mW

电源电压 - - 12V ~ 20V

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

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