对比图
型号 STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZ
描述 STGD5NB120SZ 系列 1200 V 10 A 低压差 内部钳位 IGBT - TO-252-3STMICROELECTRONICS STGD5NB120SZT4 单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚N沟道5A - 1200V DPAK / IPAK内部钳位的PowerMESH ？ IGBT N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK
额定电压(DC) - 1.20 kV -
额定电流 - 5.00 A -
额定功率 75 W 75 W -
针脚数 - 3 -
耗散功率 75000 mW 75 W -
输入电容 - 430 pF -
上升时间 - 170 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -
热阻 - 100 ℃/W -
额定功率(Max) 75 W 75 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 75000 mW 75 W -
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 2.4 mm 6.2 mm -
高度 6.2 mm 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -