IRG4BC30UDPBF和SGW23N60UFDTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30UDPBF SGW23N60UFDTM HGTG12N60C3D

描述 INFINEON  IRG4BC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG12N60C3D  单晶体管, IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-247-3

额定功率 100 W - 104 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 100 W 100000 mW 104 W

输入电容 1100 pF - -

上升时间 21.0 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 80 ℃/W - -

反向恢复时间 42 ns 60 ns 42 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W 104 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 104000 mW

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 12.0 A 24.0 A

长度 10.54 mm - 15.87 mm

宽度 4.69 mm - 4.82 mm

高度 8.77 mm 4.83 mm 20.82 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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