NTHD3100CT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.900
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET /-55~150
描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET