ZXMHC6A07T8TA

概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Quad
晶体管极性:NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.45Ohms
汲极/源极击穿电压:60V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:+1.8A,-1.5A
功率耗散:1.3W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SM-8
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:1000
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制造商: DIODES(美台)
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
制造商: DIODES(美台)
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
制造商: DIODES(美台)
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
制造商: DIODES(美台)
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
制造商: DIODES(美台)
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

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