ZXM62N03E6TC
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ZXM62N03E6TC
概述
制造商:DiodesInc.
RoHS:否
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:20V
漏极连续电流:3.2A
功率耗散:1700mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55C
数据手册
ZXM62P02E6TA.pdf
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ZXM62P03E6TA.pdf
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型号:
ZXM62P02E6TA
制造商:
DIODES(美台)
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
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型号:
ZXM62P02E6TA
制造商:
DIODES(美台)
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
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ZXM62P02E6TA
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DIODES(美台)
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
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型号:
ZXM62P03E6TA
制造商:
DIODES(美台)
描述:
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
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ZXM62P03E6TA
制造商:
DIODES(美台)
描述:
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
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