FQPF85N06

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 26.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:53A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:112nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4120pF @ 25V
功率 - 最大:62W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
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描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FQPF8P10
描述:P-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FQPF8N60C
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
型号: FQPF8N60CFT
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F

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