FQP17N08L

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 8.25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:16.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11.5nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :520pF @ 25V
功率 - 最大:65W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
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型号: FQP17P06
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
型号: FQP17N08
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FQP17N08L
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FQP17P10
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
型号: FQP17N40
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET N-CH 400V 16A TO-220

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