FDS4488

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 7.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.9A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :927pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
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型号: FDS4465
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
型号: FDS4465
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
型号: FDS4465
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
型号: FDS4410
描述:SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
型号: FDS4435BZ
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

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