FDG311N

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:115 毫欧 @ 1.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.9A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :270pF @ 10V
功率 - 最大:480mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
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型号: FDG312P
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
型号: FDG312P
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
型号: FDG312P
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
型号: FDG316P
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
型号: FDG316P
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

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