FQI7P06TU

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:410 毫欧 @ 3.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:8.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :295pF @ 25V
功率 - 最大:3.75W
安装类型:通孔
封装/外壳:I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装:管件
供应商设备封装:*
在线购买
型号: FQI7P06TU
描述:P-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FQI7P06TU
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台