FCH20N60

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:SuperFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:190 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:98nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3080pF @ 25V
功率 - 最大:208W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
包装:管件
供应商设备封装:*
其它名称:FCH20N60_NLFCH20N60_NL-ND
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型号: FCH20E10
制造商: KYOCERA(京瓷)
描述:DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO-220 F
型号: FCH20A15
制造商: KYOCERA(京瓷)
描述:DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO-220 F
型号: FCH20N60
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
型号: FCH20N60
制造商: ON(安森美)
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
型号: FCH20A20
制造商: KYOCERA(京瓷)
描述:DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO-220 F

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