类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN 雪崩模式
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：25 @ 10mA, 10V
功率 - 最大：330mW
频率 - 转换：40MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FMMT417TR