类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:77A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:19nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1996pF @ 10V
功率 - 最大:87W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-262
其它名称:*IRF3704L