J202

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):900µA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:800mV @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:散装
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
功率 - 最大:625mW
供应商设备封装:*
在线购买
制造商: SICK(西克)
描述:ROTARY ENCODR INCREMENT 2048PPR
制造商: SILICONIX(威世)
描述:MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
制造商: SILICONIX(威世)
描述:MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
型号: MMBFJ202
制造商: ON(安森美)
描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23
制造商: SILICONIX(威世)
描述:MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

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