IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 172.195562 | 172.20 |
20 | 172.195562 | 3443.91 |
50 | 172.195562 | 8609.78 |
100 | 172.195562 | 17219.56 |
300 | 172.195562 | 51658.67 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 758.412733 | 758.41 |
10 | 712.448326 | 7124.48 |
25 | 689.466121 | 17236.65 |
100 | 620.519509 | 62051.95 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 748.280794 | 748.28 |
10 | 702.872407 | 7028.72 |
25 | 680.199103 | 17004.98 |
100 | 612.179194 | 61217.92 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 1245.610747 | 1245.61 |
10 | 1181.347068 | 11813.47 |
25 | 1149.199165 | 28729.98 |
100 | 1028.653799 | 102865.38 |
250 | 1012.581083 | 253145.27 |
数量 | 单价(含税) | 总价 |
---|---|---|
1 | 509.543952 | 509.54 |
10 | 484.095356 | 4840.95 |
25 | 471.354612 | 11783.87 |
100 | 414.0277 | 41402.77 |
250 | 407.658044 | 101914.51 |
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