HSM4435
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- 制造商编号：
- HSM4435
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：2850
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.782628 | ￥0.78 |
| 100 | ￥0.729388 | ￥72.94 |
| 300 | ￥0.676148 | ￥202.84 |
| 500 | ￥0.622908 | ￥311.45 |
| 2000 | ￥0.596288 | ￥1192.58 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSM4435
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
9.5A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
20mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSM4435品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSM4435
型号：HSM4435
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：2850 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.782628 |
| 100+： | ￥0.729388 |
| 300+： | ￥0.676148 |
| 500+： | ￥0.622908 |
| 2000+： | ￥0.596288 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.78