WSD30L120DN56
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- 制造商编号：
- WSD30L120DN56
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：3641
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.881196 | ￥3.88 |
| 10 | ￥3.521826 | ￥35.22 |
| 30 | ￥3.282246 | ￥98.47 |
| 100 | ￥2.922876 | ￥292.29 |
| 500 | ￥2.75517 | ￥1377.59 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD30L120DN56
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
3.6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
78W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
WSD30L120DN56品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WSD30L120DN56
数据手册PDF。
WSD30L120DN56
型号：WSD30L120DN56
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：3641 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.881196 |
| 10+： | ￥3.521826 |
| 30+： | ￥3.282246 |
| 100+： | ￥2.922876 |
| 500+： | ￥2.75517 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.88