NCE65T1K2I
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- 制造商编号：
- NCE65T1K2I
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.361265 | ￥11.81 |
| 50 | ￥1.942198 | ￥97.11 |
| 150 | ￥1.762599 | ￥264.39 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE65T1K2I
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
1.1Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
41W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
NCE65T1K2I品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、NCE65T1K2I
数据手册PDF。
NCE65T1K2I
型号：NCE65T1K2I
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.361265 |
| 50+： | ￥1.942198 |
| 150+： | ￥1.762599 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00