VBI2658
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- 制造商编号：
- VBI2658
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.589763 | ￥2.59 |
| 10 | ￥2.11989 | ￥21.20 |
| 30 | ￥1.9232 | ￥57.70 |
| 100 | ￥1.660945 | ￥166.09 |
| 500 | ￥1.507963 | ￥753.98 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBI2658
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：10.4W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6.5A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
65mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
10.4W
类型
P沟道
包装方式
编带
VBI2658 同类别型号
注
VBI2658品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、VBI2658
数据手册PDF。
VBI2658
型号：VBI2658
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.589763 |
| 10+： | ￥2.11989 |
| 30+： | ￥1.9232 |
| 100+： | ￥1.660945 |
| 500+： | ￥1.507963 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.59