VBM1101N
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- 制造商编号：
- VBM1101N
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.452398 | ￥7.45 |
| 10 | ￥6.305035 | ￥63.05 |
| 50 | ￥5.671253 | ￥283.56 |
| 100 | ￥4.960981 | ￥496.10 |
| 500 | ￥4.294417 | ￥2147.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBM1101N
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A
栅源极阈值电压
3.5V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
250W
类型
N沟道
包装方式
管装
VBM1101N 同类别型号
注
VBM1101N品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购VBM1101N、查询VBM1101N代理商；
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、VBM1101N
数据手册PDF。
VBM1101N
型号：VBM1101N
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.452398 |
| 10+： | ￥6.305035 |
| 50+： | ￥5.671253 |
| 100+： | ￥4.960981 |
| 500+： | ￥4.294417 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.45