SQD19P06-60L
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- 制造商编号：
- SQD19P06-60L
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：53mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.795268 | ￥4.80 |
| 10 | ￥3.988984 | ￥39.89 |
| 30 | ￥3.585842 | ￥107.58 |
| 100 | ￥3.278181 | ￥327.82 |
| 500 | ￥2.991738 | ￥1495.87 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SQD19P06-60L
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：53mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
25A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
53mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
38.5W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
SQD19P06-60L品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、SQD19P06-60L
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SQD19P06-60L
型号：SQD19P06-60L
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.795268 |
| 10+： | ￥3.988984 |
| 30+： | ￥3.585842 |
| 100+： | ￥3.278181 |
| 500+： | ￥2.991738 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.80