HSU6014
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- 制造商编号：
- HSU6014
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.3W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥1.230848 | ￥6.15 |
| 50 | ￥0.978428 | ￥48.92 |
| 150 | ￥0.870248 | ￥130.54 |
| 500 | ￥0.735296 | ￥367.65 |
| 2500 | ￥0.675196 | ￥1687.99 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSU6014
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.3W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
20A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
40mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
31.3W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSU6014品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSU6014
型号：HSU6014
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥1.230848 |
| 50+： | ￥0.978428 |
| 150+： | ￥0.870248 |
| 500+： | ￥0.735296 |
| 2500+： | ￥0.675196 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00