SE8090G
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- 制造商编号：
- SE8090G
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥2.133768 | ￥10.67 |
| 50 | ￥1.720717 | ￥86.04 |
| 150 | ￥1.543695 | ￥231.55 |
| 500 | ￥1.322746 | ￥661.37 |
| 2000 | ￥1.2244 | ￥2448.80 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE8090G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
90A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
125W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
SE8090G品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SE8090G
型号：SE8090G
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥2.133768 |
| 50+： | ￥1.720717 |
| 150+： | ￥1.543695 |
| 500+： | ￥1.322746 |
| 2000+： | ￥1.2244 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00