VBTA1220N
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- 制造商编号：
- VBTA1220N
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：500
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.692604 | ￥0.69 |
| 10 | ￥0.666952 | ￥6.67 |
| 100 | ￥0.605387 | ￥60.54 |
| 500 | ￥0.574605 | ￥287.30 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VBTA1220N
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：850mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：390mΩ @ 500mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
850mA
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
390mΩ @ 500mA,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
500mW
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
VBTA1220N品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、VBTA1220N
数据手册PDF。
VBTA1220N
型号：VBTA1220N
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.692604 |
| 10+： | ￥0.666952 |
| 100+： | ￥0.605387 |
| 500+： | ￥0.574605 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.69