WSD3030DN
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- 制造商编号：
- WSD3030DN
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：970
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.17612 | ￥1.18 |
| 10 | ￥1.13256 | ￥11.33 |
| 100 | ￥1.028016 | ￥102.80 |
| 500 | ￥0.975744 | ￥487.87 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD3030DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
34A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
25W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
WSD3030DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、WSD3030DN
数据手册PDF。
WSD3030DN
型号：WSD3030DN
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：970 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.17612 |
| 10+： | ￥1.13256 |
| 100+： | ￥1.028016 |
| 500+： | ￥0.975744 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.18