MTDP2004S6R
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- 制造商编号：
- MTDP2004S6R
- 制造商：
- CY(超音)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.947832 | ￥0.95 |
| 10 | ￥0.761521 | ￥7.62 |
| 30 | ￥0.681643 | ￥20.45 |
| 100 | ￥0.581986 | ￥58.20 |
| 500 | ￥0.537622 | ￥268.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MTDP2004S6R
制造商
CY(超音)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 430mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
500mA
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
900mΩ @ 430mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300mW
类型
双P沟道
包装方式
编带
MTDP2004S6R 同类别型号
注
MTDP2004S6R品牌厂家：CY
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购MTDP2004S6R、查询MTDP2004S6R代理商；
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替代型号
、MTDP2004S6R
数据手册PDF。
MTDP2004S6R
型号：MTDP2004S6R
品牌：CY
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.947832 |
| 10+： | ￥0.761521 |
| 30+： | ￥0.681643 |
| 100+： | ￥0.581986 |
| 500+： | ￥0.537622 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.95