HSSN3139
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- 制造商编号：
- HSSN3139
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：630mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.35W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.206204 | ￥4.12 |
| 200 | ￥0.165737 | ￥33.15 |
| 600 | ￥0.143254 | ￥85.95 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSSN3139
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：630mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.35W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
0.5A
栅源极阈值电压
1.1V @ 250uA
漏源导通电阻
630mΩ @ 0.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
0.35W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
HSSN3139品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSSN3139
型号：HSSN3139
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.206204 |
| 200+： | ￥0.165737 |
| 600+： | ￥0.143254 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00