HSCB3010
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- 制造商编号：
- HSCB3010
- 制造商：
- HUASHUO(华朔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
HSCB3010
制造商
HUASHUO(华朔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
20A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
10mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
6.2W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
HSCB3010品牌厂家：HUASHUO
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
HSCB3010
型号：HSCB3010
品牌：HUASHUO
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00