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KNH9120A

KIA
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制造商编号:
KNH9120A
制造商:
KIA
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W(Tc) 类型:N沟道
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制造商型号

KNH9120A

制造商

KIA

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W(Tc) 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

40A(Tc)

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

100mΩ @ 16A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

175W(Tc)

类型

N沟道

包装方式

盒装

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KNH9120A

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型号:KNH9120A

品牌:KIA

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