NCE2010E
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- 制造商编号：
- NCE2010E
- 制造商：
- 无锡新洁能(无锡新洁能)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏)
- 渠道：
- 自营
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥1.772408 | ￥17.72 |
| 200 | ￥1.089 | ￥217.80 |
| 800 | ￥0.7623 | ￥609.84 |
| 3000 | ￥0.5445 | ￥1633.50 |
| 6000 | ￥0.517275 | ￥3103.65 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NCE2010E
制造商
无锡新洁能(无锡新洁能)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道(共漏)
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
18mΩ @ 6.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.5W
类型
双N沟道(共漏)
包装方式
编带
NCE2010E 同类别型号
注
NCE2010E品牌厂家：无锡新洁能
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、NCE2010E
数据手册PDF。
NCE2010E
型号：NCE2010E
品牌：无锡新洁能
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥1.772408 |
| 200+： | ￥1.089 |
| 800+： | ￥0.7623 |
| 3000+： | ￥0.5445 |
| 6000+： | ￥0.517275 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00