KIA50N06BD
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- 制造商编号：
- KIA50N06BD
- 制造商：
- KIA
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：1264
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.1858 | ￥1.19 |
| 30 | ￥1.14345 | ￥34.30 |
| 100 | ￥1.1011 | ￥110.11 |
| 500 | ￥1.0164 | ￥508.20 |
| 1000 | ￥0.97405 | ￥974.05 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA50N06BD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
50A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
12.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
88W
类型
N沟道
包装方式
编带
KIA50N06BD 同类别型号
注
KIA50N06BD品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、KIA50N06BD
数据手册PDF。
KIA50N06BD
型号：KIA50N06BD
品牌：KIA
供货：锐单
库存：1264 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.1858 |
| 30+： | ￥1.14345 |
| 100+： | ￥1.1011 |
| 500+： | ￥1.0164 |
| 1000+： | ￥0.97405 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.19