P06P03LVG
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- 制造商编号：
- P06P03LVG
- 制造商：
- NIKO-SEM(尼克森)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.965315 | ￥4.83 |
| 50 | ￥0.864347 | ￥43.22 |
| 150 | ￥0.821075 | ￥123.16 |
| 500 | ￥0.567344 | ￥283.67 |
| 2500 | ￥0.543303 | ￥1358.26 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
P06P03LVG
制造商
NIKO-SEM(尼克森)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
6A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
46mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.5W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
P06P03LVG品牌厂家：NIKO-SEM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、P06P03LVG
数据手册PDF。
P06P03LVG
型号：P06P03LVG
品牌：NIKO-SEM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.965315 |
| 50+： | ￥0.864347 |
| 150+： | ￥0.821075 |
| 500+： | ￥0.567344 |
| 2500+： | ￥0.543303 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00