WPT2E33-3/TR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- WPT2E33-3/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- 集电极电流Ic：3A 额定功率：3W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V
- 渠道：
库存 ：3
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.674708 | ￥3.37 |
| 20 | ￥0.615176 | ￥12.30 |
| 100 | ￥0.555644 | ￥55.56 |
| 500 | ￥0.496112 | ￥248.06 |
| 1000 | ￥0.468331 | ￥468.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WPT2E33-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
集电极电流Ic：3A 额定功率：3W 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：30V
额定功率
3W
集电极电流Ic
3A
集射极击穿电压Vce
30V
晶体管类型
PNP
包装方式
编带
WPT2E33-3/TR 同类别型号
注
WPT2E33-3/TR
型号：WPT2E33-3/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：3 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.674708 |
| 20+： | ￥0.615176 |
| 100+： | ￥0.555644 |
| 500+： | ￥0.496112 |
| 1000+： | ￥0.468331 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00