SIHP068N60EF-GE3
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- 制造商编号：
- SIHP068N60EF-GE3
- 制造商：
- Vishay Siliconix(威世)
- 产品类别：
- 未分类
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 41 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
SIHP068N60EF-GE3 同类别型号
注
SIHP068N60EF-GE3品牌厂家：Vishay Siliconix
，所属分类： 未分类
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替代型号
、SIHP068N60EF-GE3
数据手册PDF。
SIHP068N60EF-GE3
型号：SIHP068N60EF-GE3
品牌：Vishay Siliconix
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00