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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 46 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 380 nC
耗散功率 540 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 69 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 170 ns
晶体管类型 Power MOSFET
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0SIHFPS40N50L-GE3
型号:SIHFPS40N50L-GE3
品牌:Vishay Siliconix
供货:锐单
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