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起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.862412 | ¥2587.24 |
| 6000 | ¥0.818534 | ¥4911.20 |
| 9000 | ¥0.760071 | ¥6840.64 |
| 30000 | ¥0.745802 | ¥22374.06 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 4.8 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 0.44 S
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 8.9 ns
典型接通延迟时间 1.9 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXM61P03FTA
型号:ZXM61P03FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.862412 |
| 6000+: | ¥0.818534 |
| 9000+: | ¥0.760071 |
| 30000+: | ¥0.745802 |
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