ZXTD09N50DE6TA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 50 V

集电极—基极电压 50 V

发射极 - 基极电压 7 V

饱和电压 160 mV

最大直流电集电极电流 1 A

耗散功率 900 mW

增益带宽产品 215 MHz

集电极连续电流 1 A

直流集电极 200 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 20 at 1.5 A, 2 V

直流电流增益（Max） 200 at 10 mA, 2 V

技术 Si

高度 1.3 mm

长度 3.1 mm

宽度 1.8 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 6.500 mg